Call for Papers dari Para Peneliti Lain
BEIJING, 20 Juni 2018 /PRNewswire/ -- Konferensi APCSCRM, akan digelar dari 9-12 Juli 2018, mengundang berbagai pakar ternama dari Asia Pasifik agar berkumpul untuk mempelajari dan bertukar sejumlah ide dan teknologi dalam bidang pertumbuhan material semikonduktor jenis wide bandgap, persiapan perangkat dan pengemasan serta penggunaan modul perangkat. Berikut adalah gambaran singkat mengenai beberapa pakar yang diundang:
NO. |
Nama |
Judul Laporan |
1 |
Manabu ARAI(New JRC, Jepang) |
Comprehensive Review of Widebandgap Semiconductor Devices |
2 |
Hsien-Chin CHIU(Chang Gung University, Taiwan) |
Package and Module Development of Six-inch Silicon-based GaN Power and Microwave Devices |
3 |
Andy CHUANG(Episil Technologies Inc., Taiwan) |
SiC Foundry Introduction from Episil |
4 |
Yasuto HIJIKATA(Saitama University, Jepang) |
A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model |
5 |
Noriyuki IWAMURO(University of Tsukuba, Jepang) |
Recent progress of SiC MOSFET Devices |
6 |
Guoyou LIU(Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd., Tiongkok) |
The Application Prospect of SiC Devices in Rail Transit |
7 |
Hideharu MATSUURA(Osaka Electro-Communication University, Jepang) |
Electrical Characterizationof Wide Band-Gap Semiconductors Using Hall-effect Measurements |
8 |
Tokuyasu MIZUHARA(ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd., Jepang) |
Market Applications of Power Devices (SiC) ~ Characteristics and Applications of SiC Power Devices |
9 |
Yufeng QIU(Global Energy Internet Institute, Tiongkok) |
The Application of SiC Devices into Future Power Grid |
10 |
Guosheng SUN(Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co. Ltd., Institute of Semiconductors, CAS, Tiongkok) |
Review of Structures and Origins of Triangular-shaped Defects in 4H-SiC |
11 |
Xuhui WEN(Institute of Electrical Engineering, CAS, Tiongkok) |
Technical Approaches towards Ultra-high Power Density SiC Inverter in Electric Vehicle Applications |
12 |
Q. Jon ZHANG(North Carolina State University, Amerika Serikat) |
Current Status and Future Perspectives of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Applications |
Konferensi ini juga menerima kiriman manuskrip dari kalangan profesional dan personil teknis dengan keahlian dalam bidang material semikonduktor jenis wide band gaps, perangkat dan penggunaannya di sejumlah universitas, lembaga riset dan perusahaan serta lembaga di dalam dan luar negeri.
Langkah-langkah pengiriman karya:
1. Kirim rancangan karya melalui situs APCSCRM:
(Cara Pengiriman Karya: http://www.apcscrm2018.iawbs.com, kirim)
2. Batas waktu pengiriman abstraksi: 30 Juni 2018.
3. Batas waktu pengiriman karya selengkapnya: 31 Juli 2018
4. Mohon perhatikan status penilaian karya penelitian Anda (sistem pengiriman daring APCSCRM).